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更新时间：2019/9/24 11:25:43信息编号：2056-594501

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国产替代千亿级项目落地！全球第四家！打破国际垄断！

一、A股独苗，高度重视研发，打破欧美垄断！布局千亿DRAM赛道，进度远超预期！

相关标的：$兆易创新(SH603986)$兆易创新

1、重视研发，加强投入
兆易创新是中国唯一一家存储芯片全平台公司，2018年，兆易创新的研发投入达2.3亿元，同比增长37.7%，营收占比10.2%小百姓网。兆易创新的研究团队不断壮大，截止至2018年末，公司共有研发人员344人，较2017年增加91人，研发人数占比高达66%。兆易创新获得了大量的知识产权，截止至2018年底，公司已申请专利841项，获得专利355项，专利涵盖了NORFlash、NANDFlash、MCU等芯片技术关键领域。

2、Fabless运营，专注设计，大幅扩产抢占缺口市场
随着美光、Cypress等国际巨头退出市场，2017年利基型存储器市场上主要厂商仅剩下兆易创新和旺宏、华邦电子，面对供给缺口，各公司纷纷扩产，抢占市场。旺宏、华邦电子受制于IDM模式，增量不到9%，大幅低于退出产生的10%-20%的供给缺口。兆易创新利用其Fabless（无晶圆生产线集成电路设计模式）优势，选择在2018年大幅扩产高容量NORFlash。中芯国际承诺2018年每月向兆易创新提供2.5万片产能，若全部用于生产NORFlash，以目前全球NOR存储器每月产量约9万片计算，增产的数量近三成。

3、MCU受益下游需求
MCU作为物联网核心零组件，受益于物联网浪潮，预计未来五年中国市场CAGR为12%x~b~a~i~x~i~n~g~c~o~m。全球MCU市场一直以来都是由欧美、日本和中国台湾厂商主导，兆易创新在国内中高端MCU可谓一枝独秀。2013年4月，兆易创新中国首个基于ARMCortex-M3内核的32位MCU，填补了国内相关领域空白，打破了欧美厂商垄断，覆盖率稳居市场前列。并且，在单价下滑的前提下，兆易创新MCU的毛利率较为稳定，说明规模优势和成本控制在不断体现。
4、并购思立微带来高利润
兆易创新于2018年1月收购上海思立微电子100%的股权。思立微承诺在2018-2020年度经审计的扣除非经常性损益后归属于母公司的净利润累计不低于3.2亿元，截止到2018年底，思立微已实现归母净利润9507.2万元，占合计业绩承诺比例的29.6%。
5、重磅切入千亿DRAM赛道，进度超预期
大数据时代，DRAM下游需求强劲，根据ICInsights预测数据，2018年DRAM内存产值将达到1016亿美元。预计2019年下半年DRAM价格将步入上升趋势x b a i x i n g c o m。
在DRAM领域，中国存储厂商的份额依然为零。国家集成电路产业基金将存储放在国家战略高度推动，多次强调支持IC产业龙头企业的发展，重点推进长江存储、合肥长鑫存储器项目。兆易创新携手合肥产投布局DRAM，若成功达成规划进度，合肥长鑫将成为继国际三寡头之后，全球第四家量产20nm以下DRAM的公司。随着进口替代逐步完成，未来成长空间巨大。目前，项目进展超预期，2018年底已提前量产，10%良率完成积极乐观，投产后最大产能约占8%市场份额。

更新：民生证券发布兆易创新的研报指出，日前，长鑫存储动态随机存取存储芯片(DRAM)项目投产。此前市场预期合肥长鑫于Q4才能实现量产，但9月20日，长鑫12寸存储内存芯片自主制造项目宣布投产，首次亮相产品是与国际主流DRAM产品同步的第一代8GbDDR4，产品已通过国内外大客户验证，今年底正式交付x+b+a+i+x+i+n+g+c+o+m。研报认为，长鑫为兆易发展提供重要助力：合肥长鑫由合肥产投与兆易创新共同出资组建，兆易董事长朱一明亦是合肥长鑫的董事长兼首席执行官，长鑫DRAM产品的投产将和兆易flash产品形成双剑合璧，从25亿美金的Nor进入1000亿美金的DRAM市场。维持“推荐”评级。

二、全球供需拐点+国产替代历史性机遇开启，国产芯片公司Q2超预期只是开始，Q3供应链将更明确发力，三大条件挖掘受益公司

相关标的：兆易创新、北京君正、韦尔股份、圣邦股份、卓胜微、三安光电（付费版7月16日已分享）

一、重要拐点：长期需求确定，供给短期收缩，全球半导体产业底部或已过去，供需有望产生拐点，由短多转向长多
从半导体产业框架来看，自华为事件以来引起的中短期需求波动已经结束，需求开始复苏。5G推进带来的代际切换持续，长期需求确定；而供给短期收缩，以及日韩带来的资本开支递延，全球半导体供需有望产生拐点，由短多转向长多。
供需拐点具体原因如下：
1）需求复苏：华为生态链重塑、通信、手机业务不断上调预期；同时引领龙头国产化加大力度，大幅降低中期需求不确定性预期；台积电6月份营收超预期，Q3继续实现增长，主要源自华为追单、苹果、HPC等；数据中心下半年逐步复苏；而5G投入力度加大、带来手机换机、数据中心及生态带来需求递增；
2）供给收缩：日韩贸易争端影响或更深远，进一步压缩中短期供给及中期供给预期。
短期供给影响：三星/海力士共占 DRAM 65%、NAND 46%，同时在 Fab 代工、CIS等领域全球处于领先地位，尤其是存储芯片，短期供给影响以及对日本材料的担心，引起 DRAM、NAND 的价格上涨，随着时间持续，价格还有望进一步上涨，从产业跟踪，已经对部分产品生产形成影响；
中长期供给预期：年初以来，三星/海力士逐季明确下调资本开支计划，面临此次核心材料压力，扩产计划将有望再次递延，影响中期产能释放能力。
二、国产替代历史性机遇开启：国产芯片链超预期先行，三大因素共振有望进一步提升估值与市场空间
国产替代历史性机遇开启，今年正式从主题概念到业绩兑现iDe。逆势方显优质公司本色，为什么在 19H1 行业下行周期中 A 股半导体公司迭超预期，优质标的国产替代、结构改善逐步兑现至报表是核心原因。7 月开始，国产芯片链超预期先行，全球半导体周期确定与国产芯片成长正循环，科创板半导体重中之重有望三大因素共振有望进一步提升估值与市场空间。
1、国产芯片公司中短期探讨：Q2超预期只是开始，Q3供应链将更明确发力
实质性成长加速，圣邦股份、卓胜微超预期只是开始，Q3国产化程度预计继续加快。一批龙头公司如兆易创新、韦尔股份（豪威科技）、汇顶科技、紫光国微等产业进展也在逐步加快，华为等下游龙头自上半年大批量导入供应链，Q3供应链将更明确发力，Q2 只是开始。
2、中国半导体供应链长期市值空间探讨：出现一批大市值公司是大概率事件
中国半导体产业链生态重塑，与以往不同，建立完整、独立自主核心技术的半导体工业体系是大势所趋，在市场纵深领域出现一批大市值公司是大概率事件！科技红利之有效研发投入，才是建立独立自主核心技术体系的唯一手段。中国半导体进口额占全球半导体销售额 65%，巨大国内市场内需、终端厂商能力、摩尔定律放缓推动国内公司进入良性快速发展，随着科技红利的迭加，市场份额的切入，相比海外巨头 500 亿美金、千亿美金市值，中国公司第一步在市场纵深领域出现大市值体量公司是大概率事件。

三、三大条件挖掘受益公司：
梳理今年高成长的$圣邦股份(SZ300661)$圣邦股份、卓胜微、紫光国微（紫光同创）、汇顶科技等公司，我们认为后续重点从以下几点条件去挖掘受益公司：
1、公司本身研发实力过硬，研发转换效率高：主要关注公司研发投入的成果转换，重点关注研发投入-营收/产品品类扩张速度的匹配情况，今年圣邦股份、汇顶科技的营收扩张与毛利改善均属于此类；
2、具备可见、可触及的下游广阔空间，或者能通过品类扩张切入更大的市场空间：全球 800-1000 亿美金的 DRAM、500-700 亿美金的 NAND Flash 以及 500-600 亿美金的模拟芯片有望深水养大鱼，出现大体量龙头公司；
3、与海思重合程度较低，海思扶持意愿强，因此试错机会和迭代机会大幅增加（华为作为一家系统级公司，已经在大部分芯片品类上自给自足，同时也注意到存储、射频、模拟芯片上仍然存在短板、受制于人）